Ikeda Lab.

Publications

対外発表など

  • 藤島 実, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "MOSの高精度線形近似法とCMOS/BiCMOS回路の遅延時間への応用," 1990年(平成2年)春期第37回応用物理学関係連合講演会, O巻,29p-ZD-14, 1990,
  • 戴 志堅 and 浅田 邦博, (in Japanese) "最大許容遅延時間割付による多段複合MOS回路のトランジスタ寸法の2段階最適化手法," 電子情報通信学会論文誌, J73-A巻,pp.526-536, 1990,
  • 菅野 卓雄, 浅田 邦博, and 大阪間 止, (in Japanese) "DRAMセル用MOSトランジスタの寸法限界," 電子情報通信学会「サブハーフミクロンULSIテクノロジー」, 1990,
  • 趙 慶録 and 浅田 邦博, (in Japanese) "1ビット変化の状態割当てを用いた非同期式順序回路の合成," 電子情報通信学会(秋季大会), SA-3-6,pp.1-233, 1990,
  • F. Hatori, K. Asada, and T. Sugano, "Cascade Model for Reduction of Field-Effect Mobility of Electrons in Lightly Deped Channel of Submicron Gate Si Thin-Film Field-Effect Transisters," Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28,No.8,pp.1348-1353, Aug. 1989,
  • K. R. Cho and K. Asada, "Comparison of asynchronous sequential machines realized by CMOS random logic circuit and PLAs with transition detectors," The Proceeding of ICSICT'89 Bejing China, Vol.2,pp.533-534, Jun. 1989,
  • H. Miki, T. Ohmameuda, M. Kumon, K. Asada, and T. Sugano, "Fabrication and Characterization of a Quarter micron Gate CMOS using Ultra-thin Si Film (30nm) on SIMOX Substrate," International Electron Devices Meeting,1989, pp.906-911, Jun. 1989,
  • H. Miki, K. Asada, and T. Sugano, "Effects of Ultra Dry Ar Annealing on the annihilation and creation of electron/hole trap in Sio2 grown on Si substrates," Passivation of Metal and Semiconductors, pp.395-400, Jun. 1989,
  • H. Miki, K. Asada, and T. Sugano, "Effect of the ultra-dry post oxidation anneal on the density of carrier traps in thin SiO2 films," Sixth International Symposium on Passivity, 1989,
  • S. Tanimoto, T. Mihara, K. Asada, and T. Sugano, "A possible mechanism of electron injection for the threshold voltage shift of metal-oxide-semicondoctor field-effect transistors at low voltage ," Japanese Journal of Applied Physics, Vol.65, No.10, 1989,
  • 戴 志堅 and 浅田 邦博, (in Japanese) "MOS回路の多段分解による回路の最適自動合成," 電子情報通信学会・VLSI設計技術研究会, VLD89-71,pp.9-16, 1989,
  • 篠原 俊朗, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "粒界空乏層変調モデルによる多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シミュレーション," 電子情報通信学会論文誌, C-Ⅱ巻,J72号,pp.919-926, 1989,
  • 三木 浩史, 大豆生田 利章, 久門 正和, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "SIMOX基板を用いた極薄膜SOI-MOSFET'sの特性解析," 電子情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会, SDM巻,89-125,pp.29-34, 1989,
  • 趙 慶録 and 浅田 邦博, (in Japanese) "2段パスロジックによる非同期式順序回路の合成," 電子情報通信学会・VLSI設計技術研究会, 89巻,339号,VLD89-83,pp.1-8, 1989,
  • 藤島 実, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "複合構造を用いた相補型BiCMOS回路," 電子情報通信学会論文誌, J72巻,12号,pp.1171-1174, 1989,
  • 趙 慶録, 田中 範明, and 浅田 邦博, (in Japanese) "MOS複合ゲートによる非同期順序回路の合成," 電子情報通信学会・回路とシステム研究会, CAS88-118,pp.85-92, 1989,
  • 趙 慶録, 田中 範明, 久木元 裕治, and 浅田 邦博, (in Japanese) "速度独立性を持つ非同期PLA順序回路の自動合成手法," 電子情報通信学会・VLSI設計技術研究会, VLD88-112,pp.9-16, 1989,
  • 田中 範明 and 浅田 邦博, (in Japanese) "非同期順序回路の機能記述の一考察," 電子情報通信学会春期全国大会, A-245,pp.1-248, 1989,
  • 木下 聡, 戴 志堅, and 浅田 邦博, (in Japanese) "MOS複合論理回路の多段分解に関する提案," 電子情報通信学会春期全国大会, C-271,pp.5-222, 1989,
  • 趙 慶録, 久木元 裕治, and 浅田 邦博, (in Japanese) "非同期式順序回路のPLA化設計," 電子情報通信学会春期全国大会, A-234,pp.1-247, 1989,